CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應管，這種工藝典型特點是抗沖擊能力強和參數一致性表現好。

CMH25N50是使用Cmos先進的高壓MOSFET工藝制造，旨在提供優良的RDS（ON）,非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正?？捎糜赟MPS開關電源、UPS電源，非常適用于逆變器電源，有優秀的散熱能力，很好的性價比。

CMH90N30采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正。

CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正?？捎糜陂_關電源、UPS電源、DC-DC轉化電源，特別適用于逆變器電源，有優秀的散熱能力，很好的性價比。

CMP13N50T/CMF13N50T采用先進的高壓MOSFET技術生產，這種先進技術能提供優秀的RDS（ON）、優越的開關性能、并能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。