高性價比逆變器MOS：CMH20N50

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CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON）。非常適合于高效的切換模式電源和主動功率因數校正。可用于開關電源、UPS電源、DC-DC轉化電源，特別適用于逆變器電源，有優秀的散熱能力，很好的性價比。

CMH20N50的主要電氣特性包括： 

耐壓與電流能力：CMH20N50的耐壓（BVDSS）為500V，在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達20A。

抗沖擊能力強：CMH20N50采用Cmos先進的平面條紋DMOS技術和設計，單次雪崩能量為860mJ，使其有很強的抗沖擊能力，能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

散熱好：CMH20N50采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.44℃/W，有很好的散熱能力，能有效地將熱量散發出去。 

導通損耗?。?/span>在柵極電壓（VGS）為10V時，CMH20N50的導通電阻（RDS(on)）最大為0.26Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了電路的能效，使得在逆變器等電路使用中效率更高。

開關損耗?。?/span>較小的QG、結電容，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。

CMH20N50 MOS管由于其優異的特性，適用于多種應用場景，特別是在逆變器電路中。

在逆變器應用中，MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效，低QG、低結電容，有較好的開關特性及低開關損耗。CMH20N50 表現出色，能夠很好地滿足電路需求。