Cmos優勢物料推選四：CMP50N20

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從電子電路應用場景和使用習慣出發，200V大功率MOS管是一種具有高性能和高可靠性的電子半導體器件，廣泛應用于數據中心服務器電源、太陽能（PV）功率調節器、不間斷電源系統（UPS）以及各種電力電子設備和工業控制系統中。本文將以CMP50N20MOSFET為例，詳細介紹200V大功率MOS管的特點、應用場景以及其在電路設計中的注意事項。

CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應管，這種工藝典型特點是抗沖擊能力強和參數一致性表現好。

下圖是一個DC/12V轉AC/220V的輸出為方波逆變器原理圖，原理圖包括DC in12V、半橋結構、升壓、整流濾波、AC out220V。

根據電子電路設計的一般認識，橋型等其他半導體器件組合結構電路在設計方案中是以對稱結構來布局，這是基本的設計邏輯。從實際電路出發，這些組合器件不僅在結構上表現出對稱特點，在實際應用中也遵循對稱循環工作。之所以這樣布局，首先，這些對稱布置減少了電路電磁干擾所帶來的諧振危害；組合器件其本身電參數一致性是確保電路安全可靠運行的基礎。如上圖所示，顯然Q1與Q2符合設計要求且滿足參數一致性原則。

封裝形式

CMP50N20MOSFET提供了TO-220和TO-263兩種封裝形式，具體內部拓撲結構如下圖所示。

耐壓和耐流能力

CMP50N20是一款支持續漏極電流（ID）高達50A，脈沖電流（IDM）高達200A的200V場效應半導體器件。在實際的電子電路應用中具有較高的功率輸送能力。

優秀的品質因數

該款器件提供不超過55MΩ的超低漏源極導通電阻RDS(ON)，可有效減少電源應用中的損耗。其中關鍵性能指標／品質因數（FOM）= RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。

抗沖擊性強

CMP50N20具有1350mJ的單次雪崩抗沖擊能量值。

優秀的開關速度

得益于更低的電容設計，CMP50N20增強型器件成為現代高速電源應用的理想之選。

卓越的散熱能力

CMP50N20具有優秀的散熱能力，RθJC只有0.4℃/W。

CMP50N20是一款平面工藝場效應管，具有更高的抗沖擊性能和更好的電參數一致性。高電壓大電流具有高功率輸出能力，優秀的品質因數能夠有效減少能量損耗，輕松實現高效率電能傳遞。另外，該料還具有優秀的跨導能力，在功放領域應用具有非常高的性價比。綜合來講，CMP50N20是一款綜合性能優越的場效應管。

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