CMD4932是廣東場效應有限公司推出的一款低壓P溝道溝槽型功率場效應管。CMD4932具有卓越的穩定性,已在無刷電機、LED燈控、汽車電子等行業得到廣泛應用。
CMF80R450P功率MOSFET,是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的超級結技術,實現非常低的內阻RDS(on)和柵極電荷QG。
CMF90R450Q功率MOSFET,是采用廣東場效應半導體有限公司(CMOS)先進的超級結技術,實現非常低的電阻和柵極電荷。
CMH65R115P功率MOSFET,使用Cmos先進的超結技術,實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術,可以提供高效率。具有超結MOS的各種優點,可以很容易快速地應用到新的和現有的電源設計中。
CMF65R105使用Cmos先進的超級結技術,可以實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術可以提供高的效率。