緊湊型設備優選：CMSC012N06

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CMSC012N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，采用DFN-8 3.3x3.3封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高能效電源、同步整流電源的優選MOS。

CMSC012N06的主要電氣特性包括： 

耐壓：CMSC012N06的耐壓（BVDSS）為60V。

電流：在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）是20A。

雪崩能量：CMSC012N06采用先進的SGT技術，單次雪崩能量EAS為45mJ。

低熱阻：CMSC012N06采用DFN-8 3.3x3.3封裝，具有優秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為2.5℃/W。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMSC012N06的導通電阻（RDS(on)）最大只有11mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了整體電路的能效。

低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優越的開關性能，和低開關損耗。

CMSC012N06優秀的封裝尺寸，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高能效電源、同步整流電源等的優秀選擇。

CMSC012N06其優秀的電氣特性，使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMSC012N06中，使其在電路應用中表現出色。