Cmos優勢物料推選五：CMSA035N06L

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隨著電力電子功率器件向高功率密度方向的發展,DFN（Direct-Flux-on-Lead）封裝以其高效率，高集成性，低成本同時又方便檢測等諸多優點，在半導體封裝行業得到大力發展。場效應半導體經過二十多年的沉淀和發展，不斷總結市場需求和市場發展規律，持續投入DFN大功率封裝線，通過不斷優化制程工藝和生產設備開發出多規格DFN封裝的半導體器件，以其超高的性價比迅速在市場上被廣泛應用。

與先前發布的CMSA030N04一樣，CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工藝 N溝槽場效應管，其漏源導通電阻RDS(ON)最大僅有3.3MΩ，其中關鍵性能指標／品質因數（FOM）的優化降低使其自身能量傳送效率大幅提高。這些優點，正是諸如車載設備，電池保護，電源管理，智能AI等鄰域的理想選擇。

封裝形式

CMSA035N06L MOSFET是DFN-8 5×6封裝形式，內部拓撲結構如下圖所示。

優秀的能量輸送能力

CMSA035N06L是一款持續漏極電流（ID）為120A，脈沖電流（IDM）高達480A的60V低壓場效應半導體器件，在實際的電子電路應用中具有較高的功率輸送能力。場效應功率器件在工作時其自身也會消耗一定的電能, 把單位時間內功率器件所消耗的電能稱作為器件的功率損耗。在通態下最大漏源電阻僅有3.3MΩ，自身能量損耗非常低。無論從傳遞能量還是傳輸效率，CMSA035N06L應用在實際電路中都將是一款綜合效率非常高的器件。

器件熱平衡

隨著高密度性功率器件的發展，元器件單位體積內的熱量也相應增加。在大功率高頻率電源等設備中功率開關器件的電能損耗尤其突出, 這部分消耗功率會轉變為熱量使功率器件管芯發熱、結溫升高, 如果不能及時、有效地將此熱量釋放, 就會影響到器件的工作性能, 從而降低系統工作的可靠性, 甚至損壞器件。

器件的功率消耗將導致其結溫升高從而產生了散熱冷卻的要求，而散熱器在單位時間內所散發出的熱能量叫耗散功率。在設備正常穩定工作時, 器件的功率損耗和散熱器的耗散功率將達到平衡, 器件的溫度也不會繼續升高, 即系統達到了熱平衡狀態。在此情形下，作為一名半導體器件從業者，推薦和選擇合適的元器件將對電路的穩定性和安全性產生重要意義。

抗沖擊能力

CMSA035N06L具有840mJ的單脈沖雪崩抗沖擊能力。

驅動兼容性

場效應半導體是一款電壓控制型元器件，即通過給柵極施加電壓形成感應電場產生導電溝道工作。給柵極施加的電壓是其工作或者表現不同電性特征的制約因素。在實際電子電路中，為了給柵極施加穩定安全的電壓，根據電路特性需專門設計驅動電路，是要量體裁衣。驅動電壓過大，外設驅動回路就會變得相對復雜，進而使實際的PCBA體積更為厚重，電路中EMC也會更差，電路產生局部振鈴效應嚴重，導致FET,JET等功率器件誤動作，從而給電路帶來不穩定因素，輕則使功率管擊穿，嚴重時可能會發生安全事故。

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