Cmos優勢物料推選一：CMP40N20P

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CMP40N20P是廣東場效應有限公司推出的一款中壓N溝道平面結構的功率型場效應管。憑借其卓越的抗沖擊能力和穩定性，已在逆變產品和燈光調控等行業得到廣泛應用。

封裝形式

Cmos考慮到用戶不同的使用場景，為CMP40N20P場效應管提供TO-220和TO-263兩種不同封裝形式可供選擇，具體內部拓撲結構如下圖所示：

耐壓和過流能力

CMP40N20P場效應管是一款中壓管，其最大工作電壓VDS=200V，柵極開啟電壓VGS=4V。工作環境溫度Tc=25℃，在MOS管完全導通條件下，流過DS的持續工作電流ID=40A,具有較高的功率輸送能力，像用在逆變器后級，舞臺燈光調光等領域效果很好。

抗沖擊能力

實際應用電路中，非常態工況環境可以檢驗場效應管的抗沖擊能力。在常見應用電路中，有以下幾個應用工況可能會出現雪崩擊穿情況：

? 在反激類的應用環境中, 場效應管在關斷時會產生較大的電壓尖峰。

? 一些電源在輸出短路時，變壓器初級線圈中會產生較大的電流，加上初級電感反向感應電動勢的疊加，器件就會有雪崩損壞的可能。

? 電機是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極大的沖擊電流。

以上這些應用電路，需要考慮這些非常態的工況條件，這些條件下都會產生瞬時的大電壓或者大電流情況，在選擇場效應管時尤其要注意抗沖擊能力。CMP40N20P場效應管的抗沖擊雪崩能量可達到1000mj,可以輕松駕馭這些非常態工況條件。

在電子電路設計中，能耗一直是設計工程師考慮的重點，因為材料的特性、電子元器件工藝的特點和集成電路的噪聲等等都會引起額外的電能損失，這些電能都是通過轉化成熱量消耗掉。作為一名合格電子設計工程師，不僅要設計出合理的電路結構，更要懂得識料用料。場效應管作為現代電子電路關鍵性元器件之一，在實際應用中要求有足夠低的控熱能力。結合場效應管參數特征，能夠在熱量控制層面起到決定性作用的參數主要有導通電阻，熱阻值和結構電容。這三項參數對場效應管的溫升控制非常有意義。關于這些參數對場效應管溫升的具體影響已在其他篇幅中有介紹，在此不再贅述。

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