CMD8447B：汽車電子類理想選擇

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人類對高質量生活的追求是推動行業發展、產品更新迭代的本質。就像出行方式的演變，如今，電動車是人們出行最省時、綠色環保的交通方式之一，它的普及給人們生活帶來了極大的便捷性。電動車時代已經到來，它將再一次整合、發展微電子半導體行業。

電動車電子控制單元（ECU）作為電動車最核心的電子控制單元，根據其特殊的工作環境，在響應速度，動作精準性以及抗沖擊能力方面要求較高。比如，炎炎夏日，車子在室外長時間曝曬，車內溫度會達到近百度；如酷冷冬季，室外溫度逼近-40度，再比如智能化輔助駕駛系統更高的汽車，所有操控都集成于一個顯示屏幕上，在300KM/H超高速行駛中，所有操控，都要通過觸摸屏幕精準實施，電子控制單元通過驅動相應機械單元完成指令動作，以上這些惡劣環境條件中使用汽車，不僅是汽車整體性能體現，更是對其電控單元的考驗，是對控制網絡核心元器件可靠性的要求。

CMD8447B MOSFET是廣東場效應半導體有限公司（Cmos）推出的一款泛應用類功率MOSFET，卓越的電器特性使其在電源開關類，驅動控制類電子電路中得到廣泛應用。

封裝形式

CMD8447B MOSFET是N-Channel MOS管，其封裝形式及內部拓撲結構如下：

耐壓能力：CMD8447B MOSFET VDS=40V，屬于低壓MOSFET，它適用于12V，24V等額定電壓或者尖峰電壓相對較低的電路網絡中。

耐流能力：CMD8447B MOSFET的額定電流ID=50A，具有較高的輸出功率，適用于多路并聯的大功率以及感性類負載應用的電路網絡環境中。

低阻值：CMD8447B MOSFET在標準條件下，最大導通電阻RDS(on)=15.5mΩ，低阻值用在電路網絡中，MOS管自身功率損耗很小，自身熱量很小，根本上避免了管子因為過熱可能出現性能失穩甚至熱擊穿失效情況。

優秀的開啟能力VGS(TH)

CMD8447B MOSFET閾值電壓最大值為VGS(TH)=3V，低閾值電壓決定了其驅動電路相對簡答，一般單片機就可以滿足開啟要求，簡單的驅動電路使得PCB板件體積更小，同時EMI干擾更小，減少了電路中雜波干擾等偶發情況概率。

優秀的熱管理能力

CMD8447B MOSFET RθJC=2.8℃/W，為PN結到塑封外殼的熱阻，即在相對環境溫度下，結到殼的溫度等于熱阻與耗散功率的乘積，可用公式表達為結到殼的溫度=熱阻×功率耗散。RθJC參數在MOS管有熱要求的應用電路網絡中是首要考慮的參數之一。

理想的電容參數

影響MOSFET開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。器件的損耗是開通過程中的損耗 (Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)，MOS開關總功率: Psw=(Eon+Eoff)× 開關頻率，這是確定開關性能非常重要的參數之一。MOSFET因為其自身結構存在PN結電容，柵氧化層電容以及施加電壓形成電場后的寄生電容，這些電容存在使得MOSFET在開關過程中存在時間上的延遲。這種因為自身電容的影響導致MOSFET延遲的時間是非電容時間的十倍之多，影響相當之大，當然MOSFET自身電容是由其結構決定，無法根除，只能通過工藝加以控制。

不同的MOSFET產品根據其制造的工藝的差異性，實測參數不同，表現出的特性也不盡相同。CMD8447B在低壓、高功率輸出以及尖峰較高感性負載中表現優異性能。當然，CMD8447B的使用環境不僅限于此，還有很多的領域等待大家共同開發和使用。想要了解CMD8447B其它參數，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網www.87xh.cc自行下載。