CMP40N25P/CMB40N25P：高保真輸出的MOSFET

>>CMP40N25P詳情頁面   >>CMB40N25P詳情頁面

半導體材料作為集成電路產業之基石，在集成電路制造技術不斷升級和產業持續創新發展中扮演著重要角色。國產半導體屬于后起之秀，主要是受益于全球晶圓廠設備投資額的回暖和晶圓廠產能的持續擴張，全球半導體材料需求回暖，中國半導體材料國產化進程加速，中國市場也成為全球增速最快的市場。

在這個過程中誕生了很多優秀、良心的國產半導體企業，廣東場效應半導體有限公司（Cmos）是其中之一。Cmos一直以創一流品質，做行業典范為企業使命，以高端定制、匠心制造為產品理念，經過二十幾載的技術沉淀，打造出一顆又一顆品質一流的MOSFET產品。如CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET型號，因其卓越的抗沖擊能力，在功放市場可與優秀的進口品牌與之爭鋒。

功放網絡原理

封裝形式

功放PCB

CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET主要電氣特性包括：

耐壓與電流能力：CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET的耐壓(BVDSS)為250V，在25℃條件下，其最大持續漏極電流(ID)可達到40A。這使得CMP40N25P / CMB40N25P MOSFET擁有很大的輸出能力，從而完美契合功放領域的高輸出的特點。

低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時的導通電阻（RDS(on)）不超過90mΩ。低導通電阻不僅降低了器件的輸入損耗，還提高了整體網絡的能效，使得這顆料在運放控制模塊中表現優秀。

功耗與開關性能：CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET的最大功耗為160W，滿足一般大功率運放的控制需求。具備快速的開關速度和高可靠性。其閾值電壓（VGS(th)）不超過4V，確保在低電壓控制下也能良好工作。此外，具有更高的雪崩能量，雪崩EAS高達1000mJ，意味著該MOS管可以承受更大的像大功率喇叭這種感性負載的勢壘效應。

熱管理性能：CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET采用TO-220/263兩種封裝，具有良好的熱管理性能，其結到管殼的熱阻（RθJC）只有0.78℃/W。這意味著在較大功率工作時，器件自身優秀的結溫能力，可防止器件自身過熱，出現性能不穩定情況而引起輸出失真，從而提高了運放系統的穩定性和可靠性。

理想的結電容：CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET在硅晶片的嵌入過程就本著降低封裝干擾的固有特點，如動態參數結電容 Ciss=2700PF, Coss =40PF,優秀的數據和特點來。因為我們都知道MOSFET輸入電容Ciss： Ciss=Cgs+Cgd,當輸入電容充電至閾值電壓時器件才能開啟，放電至一定值時器件才可以關斷。因此驅動電路和Ciss對MOS器件的開啟和關斷時間有著直接的影響。Crss:反向傳輸電容，反向傳輸電容等同于柵漏電容。Crss=Cgd(即米勒電容)，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數，而這個時間在幾兆赫茲頻率的運放網絡中，如果控制不當足以使MOSFET結溫過高，導致器件溫升過高，穩定性降低，引起輸出失真。

優秀的跨導能力：CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET 跨導gfs=23S，意味著使用在運放網絡中輸出擺幅是很寬的，能夠有較高的兼容性，即使在環境干擾比較大的情況下也能保證輸出不失真。

本文作者是一個音響發燒友，收藏和體驗過如寶華偉健B&W、馬歇爾Marshall stockwell系列、博士Bose秒韻二代、JBL戰鼓、等知名音響，這些音響之所以獲的市場認可，源于他們在設計之初對于關鍵性半導體元器件的苛刻斟酌，這種精益求精的追求正是我們所追求的。廣東場效應半導體有限公司推出的這款CMP40N25P/CMB40N25P MOSFET產品，經得起市場推敲。