CMD65R290：反激電源的優選

>>CMD65R290詳情頁面

CMD65R290功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，實現非常低的電阻和門電荷。采用優化的電荷耦合技術，可以提供高效率。為設計者提供低EMI和低開關損耗的優勢，非常適合反激電源電路應用，溫升低，易過EMC。

CMD65R290的主要電氣特性包括： 

耐壓與電流能力：CMD65R290的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達13A。

低EMI：CMD65R290采用Cmos先進的超結技術，應用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點。

溫升低：CMD65R290采用TO-252封裝，具有良好的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為0.95℃/W，有很好的散熱能力。

導通損耗小：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMD65R290的導通電阻（RDS(on)）最大為0.3Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了電路的能效，使得在反激電源等電路使用中效率更高。

開關損耗?。?/span>較小的QG、CISS，使其具有優越的開關性能，較小的開關損耗。

CMD65R290 MOS管由于其優異的特性，適用于多種應用場景，特別是在反激電源電路中。

在反激電源應用中，MOS管的低熱阻、低導通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效，低QG、低結電容，有較好的開關特性及低開關損耗。CMD65R290表現出色，能夠很好地滿足電路需求。

MOS管在電力電子中起到重要作用，其性能直接影響整個電路的效率和穩定性。MOS管的導通電阻（RDS(on)）和熱阻（RθJC）是決定其導通性能和散熱能力的關鍵因素。低導通電阻可以減少導通損耗，提高效率，而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱，使器件不會過熱，從而延長其使用壽命。

CMD65R290 MOS管采用的TO-252封裝，通過優化半導體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些優秀特性集成到CMD65R290中，使其在反激電源電路應用中表現出色。